Oracle Sun Storage F5100 闪存阵列拥有创纪录的极高性能,可提供一种新方法来解决减缓现代企业应用的存储性能问题。该系统以一个机架单元 (1U) 的空间提供超过100 万的每秒I/O 操作(IOPS),功耗仅为300 瓦,能够帮助消除存储瓶颈,减少延迟,并提高响应时间,同时节省数据中心资源。其功耗和空间需求比传统硬盘解决方案低100 倍,能够让您获得高水平的事务处理扩展能力,同时又能降低运营成本。
Oracle/Sun F5100 闪存阵列规格
(1)20 个闪存模块
容量:480 GB
域: 4
I/O 性能
随机读取IOPS (4K): 397 K IOPS
随机写入IOPS (4K): 304 K IOPS
吞吐量
顺序读取速率: 3.2 GB/秒
顺序写入速率: 2.4 GB/秒
延迟
读取延迟: 0.378 毫秒
写入延迟: 0.245 毫秒
接口
端口: 16 x 4 宽SAS-1(64 通道)
分区 :是
功耗
输入:100 V-120 V AC 或200V-240 V AC
闲置: 129瓦
工作: 228瓦
电源备份: 4个电能存储模块
(2)40个闪存模块
容量:960 GB
域: 4
I/O 性能
随机读取IOPS (4K): 795 K IOPS
随机写入IOPS (4K): 610 K IOPS
吞吐量
顺序读取速率: 6.4 GB/秒
顺序写入速率: 4.8 GB/秒
延迟
读取延迟: 0.378 毫秒
写入延迟: 0.245 毫秒
接口
端口: 16 x 4 宽SAS-1(64 通道)
分区 :是
功耗
输入:100 V-120 V AC 或200V-240 V AC
闲置: 129 瓦
工作: 228 瓦
电源备份: 4个电能存储模块 (ESM)
输入:100 V-120 V AC 或200V-240 V AC
闲置: 157瓦
工作: 281瓦
电源备份: 4 个ESM
(3)80个闪存模块
容量:1,920 GB
域:4
I/O 性能
随机读取IOPS (4K): 1.6 M IOPS
随机写入IOPS (4K): 1.2 M IOPS
吞吐量
顺序读取速率: 12.8 GB/秒
顺序写入速率: 9.7 GB/秒
延迟
读取延迟: 0.378 毫秒
写入延迟: 0.245 毫秒
接口
端口: 16 x 4 宽SAS-1(64 通道)
分区 :是
功耗
输入:100 V-120 V AC 或200V-240 V AC
闲置: 213瓦
工作: 386瓦
电源备份: 4个ESM
可靠性
耐用性(50%读 / 50%写):大约6 年
冗余电源和风扇: 有
物理尺寸
高度: 1.746 英寸(44 毫米)– 1U
宽度: 16.750 英寸(425 毫米)
深度: 28.125 英寸(714 毫米)
重量: 35磅(15.9 千克)
环境
温度: 工作时:5°C 至35°C;非工作时:? 40°C 至65°C
相对湿度: 工作时:10%-90%,最高27°C;非工作时:10%-93%,最高35°C
海拔高度: 工作时:3,000 米;非工作时:12,000 米
噪声: 55.4分贝
管理
管理: Sun StorageTek CAM
主机总线适配器(HBA) 性能:需要新型HBA 固件(1.27.03 版)来支持最佳的Sun Storage F5100 闪存阵列性能